MT40A256M16LY-062E IT:F
IC
FBGA-96
可供量大可议
MT40A256M16LY-062E IT:F
特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V, -125mV / + 250mV， 片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O， TC 最高可达 95°C。 64ms， 8192 周期刷新， 最高可达 85°C。 32ms， 8192 周期刷新， 在 >85°C 至 95°C 时。 16 个内部存储体 (x4, x8)：每组 4 个存储体， 共 4 组
品牌
micron
封装
FBGA-96
库存
5
货期
现货
MT40A256M16LY-062E IT:F参数
| 封装 | FBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | micron(美光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 5 |
MT40A256M16LY-062E IT:F概述
特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V, -125mV / + 250mV， 片上、内部、可调 VREFDQ 生成。 1.2V 伪开漏 I/O， TC 最高可达 95°C。 64ms， 8192 周期刷新， 最高可达 85°C。 32ms， 8192 周期刷新， 在 >85°C 至 95°C 时。 16 个内部存储体 (x4, x8)：每组 4 个存储体， 共 4 组
MT40A256M16LY-062E IT:F特性
暂无产品特性。
MT40A256M16LY-062E IT:F应用领域
暂无应用领域。