MT40A256M16GE-083EIT:B
IC
FBGA-96
可供量大可议
MT40A256M16GE-083EIT:B
特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V, -125mV / + 250mV， 片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O， TC最高可达95°C。 64ms， 8192周期刷新， 最高可达85°C
品牌
micron
封装
FBGA-96
库存
7
货期
现货
MT40A256M16GE-083EIT:B参数
| 封装 | FBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | micron(美光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 7 |
MT40A256M16GE-083EIT:B概述
特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V, -125mV / + 250mV， 片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O， TC最高可达95°C。 64ms， 8192周期刷新， 最高可达85°C
MT40A256M16GE-083EIT:B特性
暂无产品特性。
MT40A256M16GE-083EIT:B应用领域
暂无应用领域。