MT25QU128ABA1EW7-0SIT
自营可供
IC
W-PDFN-8-EP(5x6)
MT25QU128ABA1EW7-0SIT
FLASH-NOR-存储器-IC-128Mb-（16M-x-8）-SPI-133MHz-8-WPDFN（6x5）（MLP8）
品牌
micron
封装
W-PDFN-8-EP(5x6)
交期
现货
批次
19+
MT25QU128ABA1EW7-0SIT参数
| 封装 | W-PDFN-8-EP(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | micron(镁光) |
| 批次 | 19+ |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 待机电流 | 15uA |
| 页写入时间(Tpp) | 120us |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 128Mbit |
| 工作电压 | 1.7V~2V |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| 功能特性 | 硬件写保护； 写使能锁存； 软件写保护； 上电复位 |
MT25QU128ABA1EW7-0SIT概述
FLASH-NOR-存储器-IC-128Mb-（16M-x-8）-SPI-133MHz-8-WPDFN（6x5）（MLP8）
MT25QU128ABA1EW7-0SIT特性
- 存储器类型: MT25QU128ABA1EW7-0SIT采用非易失性存储器技术， 数据在断电后仍然能够保存， 适合对数据可靠性有高要求的应用场景。
- 写周期时间: 该产品的写周期时间为8ms（字写）和2.8ms（页写）， 为大容量数据的写入提供了快速响应， 有助于提高整体系统的效率。
- 高时钟频率: 其支持最高133MHz的时钟频率， 意味着在SPI接口下能够实现高速的数据传输， 有效减少系统延迟。
- 电压范围: 工作电压范围在1.7V至2.0V之间， 适合低功耗设备的应用， 并有利于延长电池供电产品的使用寿命。
- 工作温度范围: 该器件能够在-40°C至85°C的广泛温度环境下正常工作， 适合各种工业和户外应用， 确保在严苛环境下的可靠性。
- 封装类型: MT25QU128ABA1EW7-0SIT采用8-WPDFN（6x5）（MLP8）表面贴装封装， 这种紧凑的封装设计不仅节省了电路板空间， 还具有良好的热性能和电气特性。
- 高速度与低功耗: 该芯片不仅在数据传输速度上表现优秀， 同时在低电压和低功耗的设计下， 能够有效延长电池供电设备的使用寿命， 满足当今市场对高能效产品的需求。
- 稳定性与耐用性: 镁光作为一家知名存储器制造商， 以其卓越的生产技术和严格的质量控制， 确保了MT25QU128ABA1EW7-0SIT在长期使用中的稳定性和耐用性， 适合关键数据存储。
MT25QU128ABA1EW7-0SIT应用领域
- MT25QU128ABA1EW7-0SIT广泛应用于诸如智能手机、平板电脑、数字电视、嵌入式系统、物联网设备以及汽车电子等领域。 其非易失性的特性和高读写速度使其成为存储固件、配置文件和用户数据的理想选择。 此外， 由于其宽温范围， 它也非常适合用于工业控制、监控设备及其他需要在极端环境下工作的应用。