MSiSH101DN
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
MSiSH101DN
此款MSiSH101DN场效应管， 它具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于中高功率电源管理系统。 导通电阻低至6.5mΩ（RDON）， 可有效降低导通损耗， 提高系统效率。 栅源电压（VGS）最大支持20V， 确保稳定控制性能。 该器件广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理及各类高效能电子设备中， 提供可靠且高效的功率控制解决方案。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
830
货期
现货
MSiSH101DN参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 830 |
MSiSH101DN概述
此款MSiSH101DN场效应管， 它具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于中高功率电源管理系统。 导通电阻低至6.5mΩ（RDON）， 可有效降低导通损耗， 提高系统效率。 栅源电压（VGS）最大支持20V， 确保稳定控制性能。 该器件广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理及各类高效能电子设备中， 提供可靠且高效的功率控制解决方案。
MSiSH101DN特性
暂无产品特性。
MSiSH101DN应用领域
暂无应用领域。