MSiRA18BDP
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
MSiRA18BDP
这款MSiRA18BDPN沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压， 其导通电阻仅为6mΩ， 有效降低了电力传输过程中的能量损耗。 支持高达±20V的栅源电压， 保证了广泛的工作条件适应性。 适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用， 如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等， 能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
1,000
货期
现货
MSiRA18BDP参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
MSiRA18BDP概述
这款MSiRA18BDPN沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流承载能力和30V的最大漏源电压， 其导通电阻仅为6mΩ， 有效降低了电力传输过程中的能量损耗。 支持高达±20V的栅源电压， 保证了广泛的工作条件适应性。 适用于各种电源转换、信号放大以及电子开关应用， 如笔记本电脑充电器、家用电器控制器等， 能够提供高效的电能管理和稳定的性能表现。
MSiRA18BDP特性
暂无产品特性。
MSiRA18BDP应用领域
暂无应用领域。