MSS1P3LHM3_A/H
IC
DO-219AD
可供量大可议
MSS1P3LHM3_A/H
特性：非常低的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功耗。 高效率。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级， 最高峰值温度为 260℃。 应用：低压高频逆变器。 续流
品牌
VISHAY
封装
DO-219AD
库存
240
货期
现货
MSS1P3LHM3_A/H参数
| 封装 | DO-219AD |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 240 |
MSS1P3LHM3_A/H概述
特性：非常低的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功耗。 高效率。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级， 最高峰值温度为 260℃。 应用：低压高频逆变器。 续流
MSS1P3LHM3_A/H特性
暂无产品特性。
MSS1P3LHM3_A/H应用领域
暂无应用领域。