MSR860G-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
MSR860G-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式结构， 具有8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。 其正向压降（VF）为1.5V， 有助于降低导通损耗； 反向漏电流（IR）低至10μA， 确保良好的关断特性。 器件可承受峰值达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM）， 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度与能效有较高要求的电力电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
52
货期
现货
MSR860G-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 52 |
MSR860G-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式结构， 具有8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。 其正向压降（VF）为1.5V， 有助于降低导通损耗； 反向漏电流（IR）低至10μA， 确保良好的关断特性。 器件可承受峰值达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM）， 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度与能效有较高要求的电力电子应用。
MSR860G-HXY特性
暂无产品特性。
MSR860G-HXY应用领域
暂无应用领域。