MSK3419DF
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
MSK3419DF
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4mΩ@10V, 6mΩ@4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.0V至-2.5V@250uA， 3419A
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8(3x3)
库存
30
货期
现货
MSK3419DF参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MSK3419DF概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：4mΩ@10V, 6mΩ@4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.0V至-2.5V@250uA， 3419A
MSK3419DF特性
暂无产品特性。
MSK3419DF应用领域
暂无应用领域。