MSK30P02DF
IC
DFN3X3-8L
可供量大可议
MSK30P02DF
MSK30P02DF采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷， 并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN3X3-8L
库存
615
货期
现货
MSK30P02DF参数
| 封装 | DFN3X3-8L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 615 |
MSK30P02DF概述
MSK30P02DF采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷， 并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
MSK30P02DF特性
暂无产品特性。
MSK30P02DF应用领域
暂无应用领域。