MSK30N03DF
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
MSK30N03DF
MSK30N03DF采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
2,869
货期
现货
MSK30N03DF参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2869 |
MSK30N03DF概述
MSK30N03DF采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
MSK30N03DF特性
暂无产品特性。
MSK30N03DF应用领域
暂无应用领域。