MSK2313HGB0
IC
TO-3PB
可供量大可议
MSK2313HGB0
MSK2313HGB0 N 沟道增强型功率 MOSFET， 采用 TO-3PB 大功率封装， 60V、60A， 10mΩ（VGS=10V, ID=30A）。 栅极电荷优化， 适用于大电流开关电源、DC-DC 转换器及 UPS 等高效功率变换场景。
品牌
MASPOWER
封装
TO-3PB
库存
30
货期
现货
MSK2313HGB0参数
| 封装 | TO-3PB |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MSK2313HGB0概述
MSK2313HGB0 N 沟道增强型功率 MOSFET， 采用 TO-3PB 大功率封装， 60V、60A， 10mΩ（VGS=10V, ID=30A）。 栅极电荷优化， 适用于大电流开关电源、DC-DC 转换器及 UPS 等高效功率变换场景。
MSK2313HGB0特性
暂无产品特性。
MSK2313HGB0应用领域
暂无应用领域。