MSJUFR05N65-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
MSJUFR05N65-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为4.2A， 最大漏源电压达650V， 导通电阻为1555mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 在高电压应用中展现出良好的耐压能力和热稳定性。 其相对较高的导通电阻适用于对开关速度和损耗要求适中的场合， 适合用于中小功率的电源管理、适配器及高效率转换模块等场景， 能够在有限空间内实现可靠的功率控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
18
货期
现货
MSJUFR05N65-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
MSJUFR05N65-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为4.2A， 最大漏源电压达650V， 导通电阻为1555mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 在高电压应用中展现出良好的耐压能力和热稳定性。 其相对较高的导通电阻适用于对开关速度和损耗要求适中的场合， 适合用于中小功率的电源管理、适配器及高效率转换模块等场景， 能够在有限空间内实现可靠的功率控制。
MSJUFR05N65-HXY特性
暂无产品特性。
MSJUFR05N65-HXY应用领域
暂无应用领域。