MSJU07N65A-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
MSJU07N65A-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于高电压、高效率的功率转换场景。 器件采用碳化硅材料， 具有优异的热稳定性和开关性能， 能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗， 适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
MSJU07N65A-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
MSJU07N65A-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于高电压、高效率的功率转换场景。 器件采用碳化硅材料， 具有优异的热稳定性和开关性能， 能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗， 适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
MSJU07N65A-HXY特性
暂无产品特性。
MSJU07N65A-HXY应用领域
暂无应用领域。