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MSJ001B
IC

TO-263

可供量大可议

MSJ001B

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):109A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):8.6mΩ

品牌

MP

封装

TO-263

库存

121

货期

现货

MSJ001B参数

封装TO-263
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存121

MSJ001B概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):109A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):8.6mΩ

MSJ001B特性

暂无产品特性。

MSJ001B应用领域

暂无应用领域。

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