MSISH101DN-T1-GE3

此款MSISH101DN-T1-GE3场效应管为P沟道， 30V漏源电压（VDSS）搭配 70A 漏极电流（ID）， 可灵活适配多种中高功率电源管理场景； 6.5mΩ 低导通电阻（RDON）有效减少导通损耗、提升整体能效， 20V 最高栅源电压（VGS）保障复杂环境下稳定工作。 器件具备高性能功率控制能力， 广泛适用于电源转换器、电池保护电路、负载开关及各类高效节能电子系统。