MSESDAVLC6V1-1BM2
IC
SOD-882
可供量大可议
MSESDAVLC6V1-1BM2
功耗（PD）:300mW 反向峰值脉冲电流(IPP):5.5A 钳位电压（V): 12.5V 工作电压（VRWM）:6V 击穿电压VBR）:5.6V-8V 结电容（J）:8PF
品牌
MSKSEMI
封装
SOD-882
库存
16,911
货期
现货
MSESDAVLC6V1-1BM2参数
| 封装 | SOD-882 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| 批次 | 两年内 |
| 反向截止电压(Vrwm) | 6V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5.5A |
| 击穿电压(VBR) | 8V |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 |
| Cj-结电容 | 8pF |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 16,911 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 钳位电压 | 12.5V |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 70W@8/20us |
| 反向电流(Ir) | 500nA |
| 类型 | ESD |
MSESDAVLC6V1-1BM2概述
功耗（PD）:300mW 反向峰值脉冲电流(IPP):5.5A 钳位电压（V): 12.5V 工作电压（VRWM）:6V 击穿电压VBR）:5.6V-8V 结电容（J）:8PF
MSESDAVLC6V1-1BM2特性
暂无产品特性。
MSESDAVLC6V1-1BM2应用领域
暂无应用领域。