MSESDA6V1L
IC
SOT-23
可供量大可议
MSESDA6V1L
特性：2个单向瞬态抑制二极管功能。 低泄漏电流：在VRM下， IRM最大值 < 1μA。 300W峰值脉冲功率（8/20μs）。 符合以下标准：IEC61000-4-2 4级：空气放电15kV， 接触放电8kV。 MIL STD 883E-方法3015-7 3类：25kV人体模型（HBM）。 应用：计算机。 打印机
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-23
库存
1,730
货期
现货
MSESDA6V1L参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1730 |
MSESDA6V1L概述
特性：2个单向瞬态抑制二极管功能。 低泄漏电流：在VRM下， IRM最大值 < 1μA。 300W峰值脉冲功率（8/20μs）。 符合以下标准：IEC61000-4-2 4级：空气放电15kV， 接触放电8kV。 MIL STD 883E-方法3015-7 3类：25kV人体模型（HBM）。 应用：计算机。 打印机
MSESDA6V1L特性
暂无产品特性。
MSESDA6V1L应用领域
暂无应用领域。