MSESD10EMC05
IC
DFN1006-2
可供量大可议
MSESD10EMC05
峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR）:5.6V-8.4V 结电容（CJ）:15PF-18PF
品牌
MSKSEMI
封装
DFN1006-2
库存
3,000
货期
现货
MSESD10EMC05参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
MSESD10EMC05概述
峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR）:5.6V-8.4V 结电容（CJ）:15PF-18PF
MSESD10EMC05特性
暂无产品特性。
MSESD10EMC05应用领域
暂无应用领域。