MSESD0511T
IC
DFN1006-2
可供量大可议
MSESD0511T
峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):30W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):2A 最大钳位电压（VC):15V 工作电压（VRWM):5V 击穿电压VBR）:5.5V-9.5V 结电容（CJ）:3PF-3.5PF
品牌
MSKSEMI
封装
DFN1006-2
库存
2,400
货期
现货
MSESD0511T参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2400 |
MSESD0511T概述
峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):30W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):2A 最大钳位电压（VC):15V 工作电压（VRWM):5V 击穿电压VBR）:5.5V-9.5V 结电容（CJ）:3PF-3.5PF
MSESD0511T特性
暂无产品特性。
MSESD0511T应用领域
暂无应用领域。