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MSESD03CI
IC

SOD-323

可供量大可议

MSESD03CI

峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):350W 钳位电压(VC): 16V 工作电压(VRWM):3.3V 反向峰值脉冲电流(IPP):20A 最小击穿电压VBR):4V 结电容(CJ):1PF

品牌

MSKSEMI

封装

SOD-323

库存

600

货期

现货

MSESD03CI参数

封装SOD-323
品牌MSKSEMI(美森科)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存600

MSESD03CI概述

峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):350W 钳位电压(VC): 16V 工作电压(VRWM):3.3V 反向峰值脉冲电流(IPP):20A 最小击穿电压VBR):4V 结电容(CJ):1PF

MSESD03CI特性

暂无产品特性。

MSESD03CI应用领域

暂无应用领域。

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