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MSE1PGHM3/89A
IC

DO-219AD

可供量大可议

MSE1PGHM3/89A

特性:非常低的外形-典型高度为0.65mm。 适合自动贴装。 氧化平面芯片结。 低正向压降, 低漏电流。 具备ESD能力。 符合J-STD-020的MSL 1级, LF最大峰值为260°C。 应用:消费和汽车应用中的通用、极性保护和轨到轨保护

品牌

VISHAY

封装

DO-219AD

库存

10

货期

现货

MSE1PGHM3/89A参数

封装DO-219AD
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存10

MSE1PGHM3/89A概述

特性:非常低的外形-典型高度为0.65mm。 适合自动贴装。 氧化平面芯片结。 低正向压降, 低漏电流。 具备ESD能力。 符合J-STD-020的MSL 1级, LF最大峰值为260°C。 应用:消费和汽车应用中的通用、极性保护和轨到轨保护

MSE1PGHM3/89A特性

暂无产品特性。

MSE1PGHM3/89A应用领域

暂无应用领域。

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