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MSE001C
IC

TO-220

可供量大可议

MSE001C

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):84A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):8.1mΩ

品牌

MP

封装

TO-220

库存

41

货期

现货

MSE001C参数

封装TO-220
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存41

MSE001C概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):84A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):8.1mΩ

MSE001C特性

暂无产品特性。

MSE001C应用领域

暂无应用领域。

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