MSCEP023N10LL

此款MSCEP023N10LL场效应管采用1个N沟道设计， 应用了先进的大电流TOLL封装， 兼具优异电学性能与良好热稳定性100V漏源电压VDSS搭配300A最大漏极电流ID， 器件依托先进封装与制造工艺， 实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行， 广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景， 精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求(NCEP023N10LL)。