MSC750SMA170SA-HXY

本款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）采用宽禁带半导体材料， 具备出色的高温与高频率工作性能。 其主要参数包括：漏极电流ID为6A， 漏源电压VDSS高达1700V， 导通电阻RDON为700mΩ。 高耐压特性使其适用于高压电源转换和功率开关电路， 在高频应用中表现出优异的效率与稳定性。 该器件适合用于高性能电源、新能源系统以及精密电子设备中的功率控制单元， 满足对可靠性与能效有较高要求的电路设计需求。