MSAZ5825-01F
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
MSAZ5825-01F
峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR）:5.6V-7.8V 结电容（CJ）:30PF
品牌
MSKSEMI
封装
DFN1006-2L
库存
10,450
货期
现货
MSAZ5825-01F参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10450 |
MSAZ5825-01F概述
峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR）:5.6V-7.8V 结电容（CJ）:30PF
MSAZ5825-01F特性
暂无产品特性。
MSAZ5825-01F应用领域
暂无应用领域。