MS80P10IDE3
IC
TO-263
可供量大可议
MS80P10IDE3
MS80P10IDE3 大电流 P 沟道贴片 MOSFET， TO‑263 封装， 具备低栅极电荷、低反向传输电容， 开关速度快， 100% 单脉冲雪崩能量测试， 适合硬开关高频电路、UPS 电源等负向功率开关场景。
品牌
MASPOWER
封装
TO-263
库存
100
货期
现货
MS80P10IDE3参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
MS80P10IDE3概述
MS80P10IDE3 大电流 P 沟道贴片 MOSFET， TO‑263 封装， 具备低栅极电荷、低反向传输电容， 开关速度快， 100% 单脉冲雪崩能量测试， 适合硬开关高频电路、UPS 电源等负向功率开关场景。
MS80P10IDE3特性
暂无产品特性。
MS80P10IDE3应用领域
暂无应用领域。