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MS8003L-TOLL8
IC

TOLL-8

可供量大可议

MS8003L-TOLL8

此款MS8003L-TOLL8场效应管采用1个N沟道设计, 应用了先进的大电流TOLL封装, 兼具优异电学性能与良好热稳定性100V漏源电压VDSS搭配383A最大漏极电流ID, 器件依托先进封装与制造工艺, 实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行, 广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景, 精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。

品牌

MSKSEMI

封装

TOLL-8

库存

2,381

货期

现货

MS8003L-TOLL8参数

封装TOLL-8
品牌MSKSEMI(美森科)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2381

MS8003L-TOLL8概述

此款MS8003L-TOLL8场效应管采用1个N沟道设计, 应用了先进的大电流TOLL封装, 兼具优异电学性能与良好热稳定性100V漏源电压VDSS搭配383A最大漏极电流ID, 器件依托先进封装与制造工艺, 实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行, 广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景, 精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。

MS8003L-TOLL8特性

暂无产品特性。

MS8003L-TOLL8应用领域

暂无应用领域。

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