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MS6001Y
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MS6001Y

N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):111A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.3mΩ

品牌

MP

封装

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库存

433

货期

现货

MS6001Y参数

封装PDFN5x6
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存433

MS6001Y概述

N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):111A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.3mΩ

MS6001Y特性

暂无产品特性。

MS6001Y应用领域

暂无应用领域。

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