MS5P50HGD0
IC
TO-252
可供量大可议
MS5P50HGD0
MS5P50HGD0 P 沟道贴片 MOSFET， TO‑252 封装， 低栅极电荷设计， 开关速度快， 100% 雪崩测试， dv/dt 耐受能力达‑4.5V/ns， 适用于功率开关、硬开关高频电路、UPS 电源等负压高压贴片应用。
品牌
MASPOWER
封装
TO-252
库存
46
货期
现货
MS5P50HGD0参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
MS5P50HGD0概述
MS5P50HGD0 P 沟道贴片 MOSFET， TO‑252 封装， 低栅极电荷设计， 开关速度快， 100% 雪崩测试， dv/dt 耐受能力达‑4.5V/ns， 适用于功率开关、硬开关高频电路、UPS 电源等负压高压贴片应用。
MS5P50HGD0特性
暂无产品特性。
MS5P50HGD0应用领域
暂无应用领域。