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MS50N06
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TO-252

MS50N06

其他

品牌

MSKSEMI

封装

TO-252

交期

现货

批次

两年内

产品参数概述

MS50N06参数

封装TO-252
品牌MSKSEMI(美森科)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
输入电容(Ciss)1.68nF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存5,653
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)65W
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
反向传输电容(Crss)85pF
输出电容(Coss)115pF

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