MS50N02
IC
TO-252-2
可供量大可议
MS50N02
特性：VDS = 20V， ID = 90A。 RDS(ON)， 6mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流。 高EAS下具有良好的稳定性和均匀性。 出色的散热封装。 应用：负载开关。 硬开关和高频电路
品牌
MSKSEMI
封装
TO-252-2
库存
635
货期
现货
MS50N02参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 635 |
MS50N02概述
特性：VDS = 20V， ID = 90A。 RDS(ON)， 6mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流。 高EAS下具有良好的稳定性和均匀性。 出色的散热封装。 应用：负载开关。 硬开关和高频电路
MS50N02特性
暂无产品特性。
MS50N02应用领域
暂无应用领域。