MS4N1350HGE0
IC
TO-263
可供量大可议
MS4N1350HGE0
MS4N1350HGE0， 1350V 4A 5.5Ω 超高压 MOSFET， TO-263 贴片。 高压雪崩、低损耗、贴装省空间， 适高压模块、小体积电源。
品牌
MASPOWER
封装
TO-263
库存
50
货期
现货
MS4N1350HGE0参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
MS4N1350HGE0概述
MS4N1350HGE0， 1350V 4A 5.5Ω 超高压 MOSFET， TO-263 贴片。 高压雪崩、低损耗、贴装省空间， 适高压模块、小体积电源。
MS4N1350HGE0特性
暂无产品特性。
MS4N1350HGE0应用领域
暂无应用领域。