MS40N25HGT0
IC
TO-220
可供量大可议
MS40N25HGT0
MS40N25HGT0 N沟道MOSFET 250V 40A 80mΩ TO-2200。 低栅电荷（Qg典型87nC）、低Crss（典型82pF）， 100%雪崩测试， 适用于高效开关电源（SMPS）、半桥电子镇流器、UPS。
品牌
MASPOWER
封装
TO-220
库存
50
货期
现货
MS40N25HGT0参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
MS40N25HGT0概述
MS40N25HGT0 N沟道MOSFET 250V 40A 80mΩ TO-2200。 低栅电荷（Qg典型87nC）、低Crss（典型82pF）， 100%雪崩测试， 适用于高效开关电源（SMPS）、半桥电子镇流器、UPS。
MS40N25HGT0特性
暂无产品特性。
MS40N25HGT0应用领域
暂无应用领域。