MS400N06HTL
IC
TOLL-8
可供量大可议
MS400N06HTL
此款MS400N06HTL场效应管采用1个N沟道设计, 应用了先进的大电流TOLL封装, 兼具优异电学性能与良好热稳定性60V漏源电压VDSS搭配400A最大漏极电流ID, 内阻低至1.1MR器件依托先进封装与制造工艺, 实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行, 广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景, 精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求(XRS400N06HTLS400N06HTL)。
品牌
MSKSEMI
封装
TOLL-8
库存
1,510
货期
现货
MS400N06HTL参数
| 封装 | TOLL-8 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1510 |
MS400N06HTL概述
此款MS400N06HTL场效应管采用1个N沟道设计, 应用了先进的大电流TOLL封装, 兼具优异电学性能与良好热稳定性60V漏源电压VDSS搭配400A最大漏极电流ID, 内阻低至1.1MR器件依托先进封装与制造工艺, 实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行, 广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景, 精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求(XRS400N06HTLS400N06HTL)。
MS400N06HTL特性
暂无产品特性。
MS400N06HTL应用领域
暂无应用领域。
