MS3NH170HGE0
IC
TO-263
可供量大可议
MS3NH170HGE0
MS3NH170HGE0 耗尽型N沟道 MOSFET 1700V 3A TO-263 6Ω。 超高压、低损耗、雪崩测试、高速， 适用于负载、音频放大、启动电路、电流调节器。
品牌
MASPOWER
封装
TO-263
库存
10
货期
现货
MS3NH170HGE0参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
MS3NH170HGE0概述
MS3NH170HGE0 耗尽型N沟道 MOSFET 1700V 3A TO-263 6Ω。 超高压、低损耗、雪崩测试、高速， 适用于负载、音频放大、启动电路、电流调节器。
MS3NH170HGE0特性
暂无产品特性。
MS3NH170HGE0应用领域
暂无应用领域。