MS38P40HGC0
IC
TO-247
可供量大可议
MS38P40HGC0
MS38P40HGC0 P 沟道增强型功率 MOSFET， -400V -38A Rds (on) 210mΩ TO‑247。 采用高密度单元设计实现低导通电阻， 完全表征雪崩电压与电流， 单脉冲雪崩能量 EAS 高达 3120mJ， 封装散热性能优异， 适合功率开关、硬开关高频电路及 UPS 电源等负向高压开关应用。
品牌
MASPOWER
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
MS38P40HGC0参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MS38P40HGC0概述
MS38P40HGC0 P 沟道增强型功率 MOSFET， -400V -38A Rds (on) 210mΩ TO‑247。 采用高密度单元设计实现低导通电阻， 完全表征雪崩电压与电流， 单脉冲雪崩能量 EAS 高达 3120mJ， 封装散热性能优异， 适合功率开关、硬开关高频电路及 UPS 电源等负向高压开关应用。
MS38P40HGC0特性
暂无产品特性。
MS38P40HGC0应用领域
暂无应用领域。