MS35N06
IC
TO-252
可供量大可议
MS35N06
MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：23Ω@10V, 10A
品牌
MSKSEMI
封装
TO-252
库存
810
货期
现货
MS35N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 810 |
MS35N06概述
MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：23Ω@10V, 10A
MS35N06特性
暂无产品特性。
MS35N06应用领域
暂无应用领域。