MS30N60HGC0
IC
TO-247
可供量大可议
MS30N60HGC0
MS30N60HGC0 N 沟道增强型功率 MOSFET， 600 V， 30 A， Rds(on) 130 mΩ。 具备低栅极电荷、改进的 dv/dt 能力（dv/dt 峰值 4.5V/ns）、RoHS 合规， 适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS 等中高压功率开关场景
品牌
MASPOWER
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
MS30N60HGC0参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MS30N60HGC0概述
MS30N60HGC0 N 沟道增强型功率 MOSFET， 600 V， 30 A， Rds(on) 130 mΩ。 具备低栅极电荷、改进的 dv/dt 能力（dv/dt 峰值 4.5V/ns）、RoHS 合规， 适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS 等中高压功率开关场景
MS30N60HGC0特性
暂无产品特性。
MS30N60HGC0应用领域
暂无应用领域。