MS30N150HGB3
IC
TO-264
可供量大可议
MS30N150HGB3
MS30N150HGB3 N 沟道 MOSFET 1500V 30A 659mΩ TO-264。 超高压、低阻、雪崩测试、高浪涌， 低反向传输电容、低栅电荷， 改进dv/dt， 适用于高效SMPS、电子镇流器、UPS。
品牌
MASPOWER
封装
TO-264
库存
9
货期
现货
MS30N150HGB3参数
| 封装 | TO-264 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
MS30N150HGB3概述
MS30N150HGB3 N 沟道 MOSFET 1500V 30A 659mΩ TO-264。 超高压、低阻、雪崩测试、高浪涌， 低反向传输电容、低栅电荷， 改进dv/dt， 适用于高效SMPS、电子镇流器、UPS。
MS30N150HGB3特性
暂无产品特性。
MS30N150HGB3应用领域
暂无应用领域。