MS30N06DF
IC
DFN3X3-8L
可供量大可议
MS30N06DF
此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN3x3， 具备漏源电压(Vdss)：60V， 连续漏极电流(Id)：30A， RDS:10V@10A=28MR, 广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理
品牌
MSKSEMI
封装
DFN3X3-8L
库存
2,225
货期
现货
MS30N06DF参数
| 封装 | DFN3X3-8L |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2225 |
MS30N06DF概述
此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN3x3， 具备漏源电压(Vdss)：60V， 连续漏极电流(Id)：30A， RDS:10V@10A=28MR, 广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理
MS30N06DF特性
暂无产品特性。
MS30N06DF应用领域
暂无应用领域。