MS30N06
IC
TO-252-2
可供量大可议
MS30N06
MS30N06采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
MSKSEMI
封装
TO-252-2
库存
2,280
货期
现货
MS30N06参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2280 |
MS30N06概述
MS30N06采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
MS30N06特性
暂无产品特性。
MS30N06应用领域
暂无应用领域。