MS25N100HSC0
IC
TO-247
可供量大可议
MS25N100HSC0
MS25N100HSC0 高压N 沟道增强型功率 MOSFET， 1000V 25A Rds (on) 0.26Ω TO‑247 直插。 具备低反向传输电容、低栅极电荷、改进的 dv/dt 能力， 单脉冲雪崩能量， 适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS 等高压高效功率变换场景。
品牌
MASPOWER
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
MS25N100HSC0参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MS25N100HSC0概述
MS25N100HSC0 高压N 沟道增强型功率 MOSFET， 1000V 25A Rds (on) 0.26Ω TO‑247 直插。 具备低反向传输电容、低栅极电荷、改进的 dv/dt 能力， 单脉冲雪崩能量， 适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS 等高压高效功率变换场景。
MS25N100HSC0特性
暂无产品特性。
MS25N100HSC0应用领域
暂无应用领域。