MS25N100HCT1
IC
TO-220F
可供量大可议
MS25N100HCT1
MS25N100HCT1， N沟道MOSFET 1000V 25A 0.26Ω TO-220F塑封。 低Crss（典型3pF）、低栅电荷（Qg典型56nC）， 改进dv/dt， 适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
品牌
MASPOWER
封装
TO-220F
库存
37
货期
现货
MS25N100HCT1参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
MS25N100HCT1概述
MS25N100HCT1， N沟道MOSFET 1000V 25A 0.26Ω TO-220F塑封。 低Crss（典型3pF）、低栅电荷（Qg典型56nC）， 改进dv/dt， 适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
MS25N100HCT1特性
暂无产品特性。
MS25N100HCT1应用领域
暂无应用领域。