MS200N20IDC0
IC
TO-247
可供量大可议
MS200N20IDC0
特性：VDS = 200V, ID = 200A。 RDS(on) = 10mΩ。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 100%雪崩测试。 低栅极电荷。 应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
品牌
MASPOWER
封装
TO-247
库存
17
货期
现货
MS200N20IDC0参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
MS200N20IDC0概述
特性：VDS = 200V, ID = 200A。 RDS(on) = 10mΩ。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 100%雪崩测试。 低栅极电荷。 应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
MS200N20IDC0特性
暂无产品特性。
MS200N20IDC0应用领域
暂无应用领域。