MS200N10HIB0
IC
TO-3P
可供量大可议
MS200N10HIB0
MS200N10HIB0 低压N沟道MOSFET 100V 200A 6.8mΩ TO-3PB。 超低导通电阻、RDS(on)max=8.5mΩ@VGS=10V， 大电流、雪崩测试、低栅荷， 适 SMPS、UPS、高频、同步整流。
品牌
MASPOWER
封装
TO-3P
库存
30
货期
现货
MS200N10HIB0参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MS200N10HIB0概述
MS200N10HIB0 低压N沟道MOSFET 100V 200A 6.8mΩ TO-3PB。 超低导通电阻、RDS(on)max=8.5mΩ@VGS=10V， 大电流、雪崩测试、低栅荷， 适 SMPS、UPS、高频、同步整流。
MS200N10HIB0特性
暂无产品特性。
MS200N10HIB0应用领域
暂无应用领域。