MS1N450HGC9

MS1N450HGC9 超高压 N 沟道功率 MOSFET， TO‑247‑C9 封装， 内置快速体二极管， 栅极电荷最小化， 本征电容极低， 高速开关性能优异， 专为高压电源、电容放电、脉冲电路、激光及 X 射线发生系统等极端高压应用设计。