MS170P10HGF4
IC
SOT-227
可供量大可议
MS170P10HGF4
MS170P10HGF4， P沟道MOSFET -100V/-170A ≤14mΩ低导通 SOT-227。 低阻大电流、雪崩测试、高速开关， 适用于DC斩波、推挽放大器、电池充电器、自动化测试设备。
品牌
MASPOWER
封装
SOT-227
库存
12
货期
现货
MS170P10HGF4参数
| 封装 | SOT-227 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
MS170P10HGF4概述
MS170P10HGF4， P沟道MOSFET -100V/-170A ≤14mΩ低导通 SOT-227。 低阻大电流、雪崩测试、高速开关， 适用于DC斩波、推挽放大器、电池充电器、自动化测试设备。
MS170P10HGF4特性
暂无产品特性。
MS170P10HGF4应用领域
暂无应用领域。