MS16N65S
IC
TO-263
可供量大可议
MS16N65S
此款N沟道MOSFET采用TO-263封装， 漏源电压(Vdss)：650V， 漏极电流(Id)：16A， 具有低导通电阻和快速开关功能， 漏源导通电阻(RDS(on))：0.55Ω @ VGS=10V广泛应用于开关电源、马达驱动、逆变器、电池管理系统以及其他高压大电流开关应用， 例如太阳能逆变系统、电源适配器、充电桩等
品牌
MSKSEMI
封装
TO-263
库存
76
货期
现货
MS16N65S参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 76 |
MS16N65S概述
此款N沟道MOSFET采用TO-263封装， 漏源电压(Vdss)：650V， 漏极电流(Id)：16A， 具有低导通电阻和快速开关功能， 漏源导通电阻(RDS(on))：0.55Ω @ VGS=10V广泛应用于开关电源、马达驱动、逆变器、电池管理系统以及其他高压大电流开关应用， 例如太阳能逆变系统、电源适配器、充电桩等
MS16N65S特性
暂无产品特性。
MS16N65S应用领域
暂无应用领域。