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MS15N120HGC0
IC

TO-247

可供量大可议

MS15N120HGC0

超高压MOSFET

品牌

MASPOWER

封装

TO-247

库存

30

货期

现货

MS15N120HGC0参数

封装TO-247
品牌MASPOWER(麦思浦)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)1.2kV
耗散功率(Pd)960W
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
反向传输电容(Crss)21pF
输出电容(Coss)353pF
商品型号MS15N120HGC0
单位个
商品重量0.007743333
分类场效应管(MOSFET)
库存30
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))680mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))5.5V
输入电容(Ciss)4.89nF
工作温度-55℃~+150℃
商品名称1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:15A
包装方式管装
商品类型场效应管(MOSFET)

MS15N120HGC0概述

超高压MOSFET

MS15N120HGC0特性

暂无产品特性。

MS15N120HGC0应用领域

暂无应用领域。

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