MS150N06JDE3
IC
TO-263
可供量大可议
MS150N06JDE3
MS150N06JDE3， 低压大电流， N沟道MOSFET， VDs=60V， ID=150A， RDS(on)典型3.8mΩ@VGs=10V， 快速开关， 低栅电荷， 100%雪崩测试， 适用于硬开关高频电路、不间断电源（UPS）。
品牌
MASPOWER
封装
TO-263
库存
50
货期
现货
MS150N06JDE3参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
MS150N06JDE3概述
MS150N06JDE3， 低压大电流， N沟道MOSFET， VDs=60V， ID=150A， RDS(on)典型3.8mΩ@VGs=10V， 快速开关， 低栅电荷， 100%雪崩测试， 适用于硬开关高频电路、不间断电源（UPS）。
MS150N06JDE3特性
暂无产品特性。
MS150N06JDE3应用领域
暂无应用领域。